河北
前沿導讀
2022年，美國發布針對中國半導體產業三大核心領域的出口管制政策，要求對制造18nm及以下內存芯片、128層及以上閃存芯片、14nm及以下邏輯芯片所需的設備實施出口管制，這一波壓制相當于切斷了中國存儲芯片和邏輯芯片依靠外部設備提升競爭力的機會。
隨后美國又開始針對光刻機這種通用制造設備進一步實施限制，對中國兩家大型的存儲芯片制造商、兩家大型的晶圓制造商，外加上一家中國老牌的科技巨頭實施全面出口管制，禁止ASML向其繼續銷售浸潤式DUV光刻機，并且要求ASML停止對其現有設備的維護工作。
這種限制措施看似將中國芯片產業打入谷底，實際上卻推高了中國芯片的技術發展速度。
技術加速
據媒體報道指出，長鑫存儲的LPDDR6內存技術已經進入研發驗證的尾聲，有望在今年實現量產。該內存技術的規格速率為12800 Mbps，顆粒容量16GB，相較LPDDR5有著明顯技術升級。長鑫存儲LPDDR6內存的技術推進，將會進一步縮短中國內存產業與美韓企業之間的差距。
今年1月份，三星在CES（國際消費類電子產品展會）上首發了旗下最新的LPDDR6內存產品，該內存相比現在的LPDDR5X降低發熱，提升能效，適用于ai計算系統的需求。雖然三星在展會上對新內存進行了展覽，但官方并未透露預計的量產時間。
美光則是在會議上表示將會把現在的LPDDR5內存逐步過渡到LPDDR6，但是并未透露LPDDR6的技術進展和預計量產時間。
而技術進度最快的則是韓國SK海力士，SK海力士在今年3月宣布完成LPDDR6的開發驗證工作，計劃上半年進行量產，下半年開始交付終端客戶。
在內存芯片的技術進度上面，中國企業不但追上了國際老牌巨頭，甚至還隱隱有些與其并駕齊驅的姿態。
全球內存產業常年被三星、SK海力士、美光這三家巨頭瓜分，這三家企業也擁有強大的產品定價權，后來者想要打開這個市場非常難。
并且韓國存儲企業最擅長的發展思路就是“逆勢投資”，在產業較為低迷的時候砸錢擴充產品、開發新技術。一旦市場需求回暖，韓國企業將會在產能、技術水平等多個方面占據優勢，其他競爭對手無力應對來自韓國企業強大的芯片競爭力，只能被迫走向倒閉或者被收購。
德國奇夢達、日本爾必達都是受到了這種“逆勢投資”的影響，最終宣告破產。
而如今存儲市場的需求旺盛，三大存儲巨頭將產能大部分轉移到制造ai產業所需的高帶寬內存（HBM），這讓消費級普通內存的市場缺口增大，給了中國存儲企業一個市場發展的機會。
抓住機會
存儲芯片的制造與邏輯芯片不同，消費級存儲芯片并不太依賴尖端的EUV光刻機，主流的方法就是使用浸潤式DUV光刻機通過多重圖案化技術進行制造。只有存儲速率較強的HBM芯片，依賴于EUV光刻機制造內部的核心關鍵層，除此之外只需要DUV光刻機足矣。
長鑫存儲在資本層面的表現亮眼，這不僅僅代表了長鑫存儲獲得了市場認可，更是讓中國半導體產業進入到一個更加深度的協同發展當中。
據媒體報道指出，作為全球第四、國內第一的內存芯片廠商，長鑫存儲正在向更加高端的市場進行拓展。
國產超節點系統是中國ai產業重點推進的技術項目，超節點需要大量的國產算力芯片，同時也需要大量的存儲芯片。此前標配的方案大多是以SK海力士、三星為主，現在已經開始根據客戶需求進行國產內存的適配。作為中國內存的“明星企業”，長鑫存儲首當其沖。
除此之外，大量本土供應鏈企業也正在與長鑫存儲進行戰略配售。
據《21世紀經濟報》指出，中微公司、瀾起科技、安集科技、通富微電、西安奕材、拓荊科技、屹唐股份、滬硅產業這八家與長鑫存儲有關聯的公司格外引人注目。這八家企業基本覆蓋了內存生產的全套流程，從上游的材料，到刻蝕、沉積等制造設備，再到內存接口和封裝測試。
中國半導體產業已經不是在單打獨斗了，而是大家“抱團推進”。
目前為止，西方國家對中國半導體的打壓依然還是老一套的方案：針對特定的中國企業實施先進制造設備的出口管制。
可以說整個先進制造產業鏈的設備，幾乎都被美國封鎖了一大圈，但是這么多年的封鎖下來，中國芯片產業并沒有被打垮，反而越來越強。此前被“卡脖子”的制造設備環節也實現了部分設備的國產化替代，只剩下光刻機這一個難點了。
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