湖北
2026年7月15日，半導體光刻設備巨頭阿斯麥（ASML）聯合英特爾晶圓代工（Intel Foundry）宣布，雙方在先進制造領域取得突破性進展。
具體而言，依托ASML高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻技術，英特爾已成功在18A（1.8納米級）工藝節點上，實現了代號為“黑豹湖”（Panther Lake）的英特爾酷睿Ultra 3系列處理器部分產品的量產與出貨。
這一歷史性里程碑標志著，高數值孔徑EUV光刻技術正式跨越研發階段，在真實的高真空量產環境中通過了極其嚴苛的關鍵驗證。目前，英特爾位于美國俄勒岡的D1X工廠已順利完成18A工藝特定光刻層高數值孔徑EUV設備的雙重認證。首批采用該最先進光刻技術打造的芯片現已正式向客戶出貨，且其整體良率水平已達到與現有NXE（標準數值孔徑EUV）平臺相當的高標準。
作為首款采用18A工藝打造的消費級旗艦，英特爾酷睿Ultra 3系列處理器特定層級的圖案化，正是由高數值孔徑EUV設備精準完成。這一實際量產案例為ASML與英特爾晶圓代工積累了極為珍貴的第一手實測數據。這不僅有助于進一步優化設備的日常調試、提升設備稼動率（設備利用率）并加速產線落地，更為該項尖端技術未來的大規模普及以及工藝性能潛力的深層釋放奠定了堅實基礎。
展望未來，英特爾晶圓代工與ASML將繼續深化合作，全力推動高數值孔徑EUV光刻技術的量產適配，并計劃將這一全球領先的曝光技術根據客戶需求靈活應用于后續更先進的工藝節點中。
回顧雙方的合作歷程，2024年，英特爾與ASML在英特爾俄勒岡州希爾斯伯勒（Hillsborough）研發基地完成了全球首臺商用高數值孔徑EUV光刻設備（TWINSCAN EXE:5000）的裝機整合。此后，英特爾晶圓代工再次走在行業前列，成為業內首家完成第二代TWINSCAN EXE:5200B設備安裝并通過驗收測試的企業。
該二代設備在EXE:5000的基礎上進行了全方位升級，實現了產能與套刻精度（疊對誤差控制）的同步飛躍，其光源系統亦得到了進一步的極限優化。伴隨本次官方公告的發布，英特爾晶圓代工正式超越競爭對手，成為全球首家使用高數值孔徑極紫外光刻技術實現大批量邏輯芯片出貨的晶圓代工廠商。
總體而言，本次英特爾 18A 工藝與 ASML 高數值孔徑（High-NA）EUV 光刻技術的成功嫁接并大批量出貨，不僅是兩家科技巨頭深度協作的里程碑，更是全球半導體制造行業邁向“后摩爾時代”的標志性事件。
它不僅徹底打消了市場此前對 High-NA EUV 技術量產可行性與良率的疑慮，也讓英特爾在四年五節點（5N4Y）的戰略決勝期搶占了關鍵的技術制高點。隨著第二代 EXE:5200B 設備的全面就緒，由高數值孔徑光刻技術引領的全新物理極限跨越已正式拉開序幕，這無疑將為全球下一代高效能算力芯片的爆發式增長注入最核心的先進制程動力。
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