長鑫科技27日掛牌首發 上市即巔峰？存儲價格或2027下半年見頂

2026年，A股硬科技賽道迎來歷史性里程碑。國產存儲芯片兩大核心龍頭——主打DRAM內存的長鑫科技與主打3D NAND閃存的長江存儲，雙雙加速沖刺A股IPO，堪稱國產半導體產業資本化進程中最重磅的事件之一。

7月16日，長鑫存儲正式開啟申購，發行價8.66元/股，發行后總股本668.81股，發行66.88億股，以發行價計算公司總市值5792億元，以7月15日收盤市值計算，排名第27名，超越華虹宏力，將于27日在科創板掛牌交易。

值得注意的是，根據統計數據顯示，上半年科創板11只新股上市首日的平均漲幅在437%，按此計算，長鑫科技上市首日，總市值有望破2.5萬億。

根據公司最新的招股說明，2026年上半年實現營收1100億元至1200億元，同比增長612.53%至677.31%；實現歸母凈利潤500億元至570億元，同比增長2244.03%至2544.19%。凈利潤率達45.46%-47.5%。全年歸母凈利潤有望超1000億元。給予50倍PE，總市值市值有望超5萬億。

需要注意的是，長鑫科技業績暴增的核心因素在于AI基建擴張帶來存儲需求供不應求+漲價帶來的雙重驅動。

基于今年的高基數，若2027年存儲芯片不再漲價，甚至出現下跌，那么2026年或將是存儲業績未來幾年中最好的一年，意味著業績增速帶來必然是下滑，市值也同步縮水。

因此，長鑫科技上市之日即是巔峰之日的概率極大。

這里不是無的放矢，復盤2020年中芯國際科創板上市的行情，這場萬眾期待的存儲“資本盛宴”背后，暗藏著不容忽視的市場風險：巨頭集中IPO，往往是板塊情緒見頂、行情階段性落幕的信號。兩大存儲雙子星密集登陸資本市場，大概率不是行情起點，而是本輪科技牛市的階段性終點。

一、復盤中芯國際：巨頭上市=行情拐點？

2020年的中芯國際IPO，是A股科技史上最典型的“上市即巔峰”案例。彼時中芯國際從受理、過會到注冊上市僅用時29天，募資總額高達532億元，創下當時A股科技股募資紀錄、全市場IPO第五高規模。上市當日，中芯國際A股暴漲202%，市場情緒達到極致狂熱。

但狂歡轉瞬即逝。巨額募資帶來的超強資金虹吸效應，直接帶崩全市場：科創50單日暴跌8.82%，滬指、創業板指、深成指全線大跌超4%，就連貴州茅臺也大幅下挫、逼近跌停。

更關鍵的是，中芯國際自身股價在創出歷史新高后，開啟了長達六年的漫長震蕩回調。上市當日入場的投資者，長期深陷被套困境，直至2026年才徹底擺脫當年的高點壓力。這也印證了A股鐵律：超級巨頭IPO落地，就是利好兌現、情緒退潮的分水嶺。

二、存儲雙子星來襲：資金與情緒雙重擠壓，短期或面臨明顯承壓

如今，長鑫科技與長江存儲兩大接力上市，體量與影響力遠超當年的中芯國際，對市場的沖擊只會更大。

從募資規模來看，長鑫科技擬募資295億元，長江存儲募資區間預計300至400億元，兩家合計募資規模有望刷新科創板歷史紀錄，整體估值更是突破3000億元。即便當前A股日均成交達三萬億級別，如此體量的“航母級IPO”，依然會大幅分流科技板塊存量資金，造成流動性收緊、題材退潮。

從交易規律來看，A股歷來遵循利好提前炒作、落地即是利空的邏輯。存儲板塊、半導體設備、材料等上下游標的，早已提前透支了兩大巨頭上市的利好預期。一旦IPO靴子正式落地，前期埋伏的海量獲利盤將集中兌現，大概率引發板塊集體回調。

從估值層面分析，當前市場對存儲龍頭的估值已然透支。根據招股書數據，長鑫科技2026年上半年歸母凈利潤預計高達500億—570億元，同比暴增2244%以上。機構按按照2026年歸母凈利潤1500億元—2000億元、20倍市盈率測算，給予其至少3萬億市值預期，樂觀估值更是沖擊4萬億。

但超高估值需要持續爆發的業績支撐。若要穩住5萬億甚至更高市值，長鑫科技2027年凈利潤需突破2500億，而這一切的前提是存儲芯片價格持續高位運行。從行業基本面來看，這一條件幾乎無法長期維系。

三、全球產能全面大擴張，存儲超級周期或即將見頂

本輪存儲牛市的核心邏輯，是供需緊平衡、價格持續上漲。但隨著國內外產能集中釋放，行業供不應求的格局即將徹底逆轉。

作為國內唯一量產DRAM的IDM龍頭，長鑫科技產能正高速擴張。根據TrendForce數據，2025年底月產能預計達到30萬片(360萬片/年)，同比增長接近50%，2026年底將突破40萬片。主要分布在在合肥、北京兩地的3座英12寸DRAM晶圓廠。

當前正在上海建設新的芯片工廠，規劃月產能40-60萬片(年產能480萬-720萬片)，大約是合肥現有產能的 2-3 倍，計劃2027年實現量產 。預計3年之內，長鑫存儲的合計產能要達到100 萬片/月，比 2025 年擴大5倍。

在市場份額方面，根據招股說明書，2023年第四季度，長鑫科技的全球市場份額僅為4.2%；2024年第四季度，提升至6.8%；2025年第四季度，進一步增至7.67%，躍居全球第四，預計到2026年將達15%。

長江存儲的擴產力度更為激進。目前公司武漢兩座晶圓廠月產能已達20萬片，三期工廠已于2026年啟動設備安裝，年底投產后，整體月產能將飆升至50萬片，年產600萬片晶圓，可滿足全球15%的3D NAND市場需求。

截至2026年第一季度，長江存儲全球市場份額16.4%，位列全球第四。國內市場方面，長江存儲2026年第一季度占據國內3D NAND市場份額約35%，成為國內最大的3D NAND供應商。

國產雙雄瘋狂擴產的同時，海外三星、SK海力士、美光三大存儲巨頭也并未停下腳步。

根據其從 Omdia 獲取到的數據，全球三大(三星電子、SK 海力士、美光) DRAM 內存原廠， 2026 年總產能將在 1800 萬片晶圓上下，相較 2025 年增長約 5%。加上長鑫存儲以及其他存儲廠商，2026年全球DRAM 內存將超2000萬片，2027年產能有望進一步擴散，通用型DRAM/NAND價格面臨承壓的概率

而且三大原廠的新一波 DRAM 產能將在 2027至2028年將迎來新一輪產能集中落地，屆時全球DRAM年產能將突破3000萬片，市場供給將徹底過剩。

四、行業權威預警：2027年存儲超級周期或終結

當前市場存在一個普遍誤區：AI高需求會永久支撐存儲漲價。但行業核心變量早已悄然改變。

一方面，海外存儲巨頭正將核心產能向高溢價的HBM高端存儲轉移，國產在這塊幾乎為零。基本被海力士、三星、美光把控，市場份額分別為52%、39%、9%。

當三大巨頭產能傳統的DRAM、NAND產能持續收縮，這給了國產替代絕佳的份額提升機會。但隨之而來的，是全球傳統存儲產能整體過剩、價格下行的必然趨勢。

另一方面，行業頂級大佬已明確預警周期拐點。三星電子前半導體業務高管公開表示：由AI驅動的存儲超級周期，將于2027年下半年正式終結。

核心邏輯十分清晰：隨著中國兩大存儲廠商積極擴大產能，長鑫存儲DRAM產能從2024年初的10萬片/月，快速爬坡至2026年底的40萬片/月；長江存儲NAND產能從當前20萬片/月，三期投產后目標50萬片/月。全球存儲芯片的供應格局或將迎來劇變，內存價格有望在明年下半年或2028年上半年出現顯著下跌。

另外，存儲需求能持續保持高增長的核心驅動在于大型科技公司（如亞馬遜、微軟、谷歌等云服務提供商）的資本支出保持高增長，一旦資本支出回報率開始下降，可能會導致它們放緩投資步伐。這將直接影響對服務器內存、HBM等高端產品的需求，從而為市場降溫。

因此，基于產能和全球科技巨頭資本開支的變量，2026年或將是全球存儲芯片公司業績表現最好的一年，隨后由于高基數且增速放緩、價格下降，存儲公司的業績或在2027-2028連續下滑的概率。

若 AI資本支出出現下滑，那么價格可能?提前見頂回落?

五、終極結論：2026年或是存儲業績巔峰之年，亦是行情顛覆之年

綜合產能、周期、估值、資金四大維度可以確定：2026年將是全球存儲芯片業績最鼎盛的一年。

高基數、供需關系變化、價格下行、增速放緩四大壓力，將導致2027—2028年存儲企業業績面臨承壓風險。而長鑫科技、長江存儲選擇在行業景氣度最高點上市，完美契合A股“巔峰上市、盛極而衰”的歷史規律。

所以，答案已然清晰：長鑫、長江存儲的上市之日，大概率或是本輪國產存儲牛市、科技賽道行情階段性見頂之時。

風險提示：存儲芯片漲價持續超預期或者擴產不及預期。