北京
瑞薩電子第三代MRDIMM芯片組可將DDR5 MRDIMM速率提升至16000MT/s，相比第二代產品帶寬最高提升25%。
算力需求暴漲推動內存廠商加速技術路線布局，DDR5 MRDIMM的應用規模持續擴大。服務器與數據中心市場正快速采用MRDIMM標準，該規格帶寬遠高于標準RDIMM內存。第一代MRDIMM已經實現量產，速率可達8000 MT/s以上。
英特爾將率先在至強6（Xeon 6）平臺提供8800 MT/s MRDIMM支持。而AMD發力支持最高12800 MT/s速率的MRDIMM。這類第二代MRDIMM內存現已全面量產；宜鼎國際（Innodisk）等廠商已經推出基于MRCD與MDB技術、速率12800 MT/s的產品。相較于DDR5-8000 RDIMM，該內存帶寬提升60%，同時維持緊湊外形尺寸，兼容現有DDR5內存插槽。
與此同時，美光推出自研第二代MRDIMM方案，最高速率可達14400 MT/s，帶寬相比DDR5-8000 RDIMM提升80%。該內存時序CL58，工作電壓1.1V，采用24Gb存儲顆粒打造96GB容量版本，后續還將推出其他容量以及更高密度配置。
瑞薩電子等方案商已經發布第三代MRDIMM芯片組，可將DDR5 MRDIMM速率提升至16000 MT/s，相比第二代產品帶寬最高提升25%。這意味著服務器平臺無需進行顛覆性的架構變更，即可釋放更強的性能。
瑞薩持續提供經現場驗證且可量產的MRDIMM平臺，涵蓋MRCD、MDB、電源管理IC（PMIC）、串行存在檢測（SPD）集線器、溫度傳感器。這一平臺化策略使客戶能夠在跨代升級中靈活擴展MRDIMM性能，同時保持設計的連續性并加速產品部署。
第三代MRDIMM基于成熟的第二代產品架構，在擴展性能的同時保留了標準DIMM的外形尺寸和系統兼容性。此外，第三代產品還增強了系統的可視性與穩健性，包括設備均衡自訓練模式（DESTM）的質量指示狀態，該功能使用戶能夠微調時序和接收端均衡訓練，從而最大化裕量。
除性能提升外，瑞薩第三代MRDIMM解決方案在設計時充分考慮了系統級能效，旨在幫助客戶在日益增長的帶寬需求與系統層面的散熱設計及功耗限制之間取得平衡。詳細的功耗對比數據將在隨附的產品文檔中提供。
眾多合作伙伴中，AMD將成為第三代MRDIMM的核心客戶。AMD已規劃在Zen 6 Venice與Verano產品線搭載12800 MT/s DDR5 MRDIMM，預計下一代Zen7 Florence平臺將大規模采用第三代MRDIMM內存。
AMD計算與企業AI平臺解決方案工程副總裁Amit Goel表示：“AMD長期支持基于開放標準的技術，助力數據中心創新，持續為AI與高性能計算業務演進提供更高靈活性。MRDIMM等下一代內存形態創新，疊加瑞薩的芯片組方案，將推動行業實現更高帶寬、更優能效，持續拓展平臺擴展能力。”
瑞薩稱，第三代MRDIMM對應的MRCD（RRG5013x）與MDB（RRG5103x）芯片已向指定客戶送樣，預計2027年下半年正式量產。
展望未來，MRDIMM將持續在AI與高性能計算領域扮演關鍵角色。該方案在遵循現有DDR5標準的前提下，實現更高運行速度、帶寬與能效；企業無需升級至DDR6，就能為現有硬件平臺與部署方案實現性能升級。
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