河南
快科技7月25日消息，SK海力士正通過位于美國加州圣何塞的子公司招募3D堆疊式DRAM邏輯設(shè)計(jì)工程師。這項(xiàng)技術(shù)的目標(biāo)，是把DRAM芯片直接垂直堆疊在手機(jī)SoC等邏輯芯片之上，從封裝層面解決端側(cè)AI的性能瓶頸。
當(dāng)前手機(jī)端側(cè)AI的瓶頸不在芯片算力，而在內(nèi)存。蘋果A19 Pro的內(nèi)存帶寬僅75.8GB/s，標(biāo)準(zhǔn)LPDDR內(nèi)存位寬有限，難以高效承載大型端側(cè)AI模型推理任務(wù)。
傳統(tǒng)PoP封裝只是將兩顆芯片上下簡單堆疊，而3D堆疊方案能大幅縮短內(nèi)存與處理器之間的物理距離，同時(shí)建立更多短距離I/O連接。帶來的直接好處是：帶寬提升、延遲降低、功耗下降、空間利用率更高。
SK海力士在招聘公告中明確表示，正在尋找能夠與美國客戶緊密合作、主導(dǎo)3D堆疊DRAM邏輯芯片聯(lián)合設(shè)計(jì)的優(yōu)秀人才。這家客戶很可能是蘋果。
多方信息顯示，蘋果A20 Pro計(jì)劃棄用沿用多年的InFO-PoP封裝，轉(zhuǎn)向臺(tái)積電WMCM（晶圓級(jí)多芯片模塊）封裝。這種方案不采用硅中介層，直接通過RDL實(shí)現(xiàn)SoC與DRAM之間的高密度互連。A20 Pro很可能成為SK海力士3D堆疊DRAM的首發(fā)平臺(tái)。
除了SK海力士，高通正在開發(fā)用于NPU的3D DRAM，并與長鑫存儲(chǔ)合作。三星則在研發(fā)低延遲寬DRAM（LLW），模擬HBM集成方式，目標(biāo)帶寬比LPDDR5X高出150%。多家內(nèi)存廠商都在向這一方向發(fā)力。
需要注意的是，這項(xiàng)技術(shù)仍處于研發(fā)階段。SK海力士剛剛啟動(dòng)工程師招募，距離量產(chǎn)還有一段距離。
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