美國,加利福尼亞州
針對關于“SK海力士有意收購英特爾美國俄亥俄州晶圓廠”的報道，SK海力士于當日在韓國證券交易所（KOSPI）發布正式聲明，明確否認了這一市場傳聞。
據韓國媒體《中央日報》（JoongAng Ilbo）于7月22日報道，為應對美國政府壓力及持續高漲的AI芯片需求，SK海力士正積極尋求在美國建立存儲器制造基地，并已將目光投向英特爾在俄亥俄州建設中的晶圓廠設施。報道甚至聲稱，SK海力士已通過內部審查及政府審批，正推進收購談判。
該消息一經發布，立即引發全球半導體行業的高度關注。考慮到SK海力士上周（7月15日）剛剛在美國納斯達克交易所完成存托憑證（ADR）上市，市場普遍將其解讀為公司加速全球化布局的信號。
然而，傳聞發酵僅數小時后，SK海力士便迅速在KOSPI發布澄清公告予以否認。由首席財務官金宇鉉（Kim Woo-hyun）署名的公告明確表示：
“本公告是針對2026年7月22日《中央日報》刊登的《SK海力士的雄心……收購英特爾俄亥俄州工廠》一文的澄清說明。我公司持續從商業角度評估多種投資與收購機會，但報道所稱‘正在推進或決定收購英特爾俄亥俄州工廠’的說法毫無事實依據。”
此次傳聞之所以引發廣泛關注，與SK海力士與英特爾之間已有的大規模交易不無關系。
2022年，SK海力士以90億美元的價格完成了對英特爾NAND閃存及存儲業務的收購，其中包括位于中國大連的NAND制造工廠及相關知識產權。該交易是SK海力士擴大非易失性存儲器業務版圖的關鍵一步，而英特爾則借此剝離非核心資產，集中資源推進其晶圓代工（Intel Foundry）戰略。
業界分析指出，此次傳聞的背景與當前AI浪潮下的半導體產能競賽緊密相關。
隨著AI GPU需求暴增，HBM（高帶寬內存）等高端DRAM產品持續供不應求。SK海力士作為英偉達（NVIDIA）核心HBM供應商，其韓國本土產線已接近滿負荷運轉。在此背景下，市場對其海外擴產的期待持續升溫。
與此同時，英特爾俄亥俄州晶圓廠項目（Fab 27和Fab 28）自2022年動工以來，建設進度一度面臨延遲。英特爾近期在財報電話會議中透露，首座晶圓廠已進入設備安裝階段，但第二座工廠的完工時間已從原定的2026年推遲至2029年，凸顯其在代工業務上面臨的挑戰。
受澄清公告影響，SK海力士股價在22日下午交易中回吐早盤漲幅，市場情緒趨于平穩。
多位分析師表示，盡管此次傳聞已被證偽，但SK海力士在海外（尤其是美國）建立存儲器生產基地的可能性依然存在。
近日，SK集團（SK Group）會長崔泰源在接受媒體采訪時也明確表示，“我們不僅需要在韓國湖南地區（Honam）建廠，如果條件允許，也應該推動在美國設廠。我們必須考慮貿易壓力等諸多因素，這正是我們在評價該選項的原因。”“我們正在尋覓合適地點。全球每個可行的地點都必須進行評價、排序并迅速開發。”
編輯：芯智訊-浪客劍
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