河南
快科技7月22日消息，三星可能要到2029年才能量產(chǎn)使用混合鍵合技術的HBM芯片，屆時將配合英偉達的下一代Feynman AI GPU。
混合鍵合是下一代HBM制造技術，通過移除DRAM層間的微凸點，減少層間空間，提供更好的性能，被認為是HBM的未來方向，與傳統(tǒng)微凸點連接相比，混合鍵合能讓芯片層與層之間貼合更緊密，數(shù)據(jù)傳輸更快、功耗更低。
三星正在從荷蘭BE Semiconductor購買50臺混合鍵合機器，計劃今年底開始安裝，2029-2030年大規(guī)模量產(chǎn)。
與此同時，三星還在開發(fā)定制HBM芯片，將邏輯芯片直接集成到HBM中，采用3D系統(tǒng)級封裝（SiP）架構，進一步提升性能。
英偉達的Feynman AI GPU預計將在Rubin Ultra之后推出，將依賴3D堆疊和定制HBM，與三星的混合鍵合量產(chǎn)時間點相吻合。
三星的混合鍵合量產(chǎn)時間比預期晚，可能影響其在HBM市場追趕SK海力士的進度，但2029年與英偉達新GPU配合的時間點顯示三星正在瞄準下一代市場。
你覺得三星的混合鍵合技術能追上SK海力士的HBM優(yōu)勢嗎？
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