全球功率半導(dǎo)體TOP20，中國(guó)5家上榜

華潤(rùn)微電子、士蘭微電子、聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體、比亞迪半導(dǎo)體、中國(guó)中車(chē)均上榜TOP20。

法國(guó)市場(chǎng)研究公司Yole Group（以下簡(jiǎn)稱(chēng)Yole）發(fā)布了2025年全球銷(xiāo)售額排名前20的功率半導(dǎo)體制造商排行榜。榜單中有五家日本公司，其中三菱電機(jī)位列第四，富士電機(jī)、東芝、羅姆和瑞薩電子緊隨其后。此外，還有五家中國(guó)制造商躋身前20名，展現(xiàn)了其日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)影響力。

Yole發(fā)布新聞稿，同時(shí)發(fā)布了其最新報(bào)告《2026年電力電子行業(yè)現(xiàn)狀》。

全球電力電子市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以7.1%的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)從2025年增長(zhǎng)至2031年，市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到413億美元。這一增長(zhǎng)預(yù)計(jì)將受到電動(dòng)出行（例如電動(dòng)汽車(chē)）、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)(BESS)、數(shù)據(jù)中心電源（包括人工智能相關(guān)應(yīng)用）、電動(dòng)汽車(chē)直流快速充電器、軌道交通以及高壓直流(HVDC)輸電等領(lǐng)域需求增長(zhǎng)的推動(dòng)。按應(yīng)用領(lǐng)域劃分，汽車(chē)/出行領(lǐng)域預(yù)計(jì)仍將是最大的市場(chǎng)。

在排名前20的公司中，英飛凌科技憑借其涵蓋硅、碳化硅和氮化鎵的強(qiáng)大產(chǎn)品組合，位居榜首，遙遙領(lǐng)先于排名第二及以下的公司。安森美半導(dǎo)體位列第二，意法半導(dǎo)體位列第三。

日本公司中，三菱電機(jī)排名第 4，富士電機(jī)排名第 5，東芝排名第 6；羅姆排名第 8，瑞薩電子（以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞薩）排名第 14。

按器件銷(xiāo)售額構(gòu)成排名來(lái)看，三菱電機(jī)和富士電機(jī)在硅基IGBT的銷(xiāo)售額中占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。如果僅比較IGBT的銷(xiāo)售額，三菱電機(jī)位居第二，僅次于英飛凌，富士電機(jī)位居第三。東芝在硅基MOSFET領(lǐng)域排名第三，落后于英飛凌和安森美半導(dǎo)體，同時(shí)在IGBT領(lǐng)域也占據(jù)重要地位。羅姆半導(dǎo)體在日本公司中擁有最大的碳化硅（SiC）銷(xiāo)售額，這反映了其在碳化硅業(yè)務(wù)上的積極投入。

中國(guó)企業(yè)排名第九（華潤(rùn)微電子）、第十（士蘭微電子）、第十一（聞泰科技旗下子公司Nexperia）、第十三（比亞迪半導(dǎo)體）和第二十（中國(guó)中車(chē)）。Yole解釋說(shuō)，受全球最大的國(guó)內(nèi)功率器件市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)，中國(guó)制造商正在“迅速擴(kuò)大其在碳化硅晶圓、分立器件、電動(dòng)汽車(chē)功率電子器件和工業(yè)功率模塊領(lǐng)域的市場(chǎng)份額”。

功率半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局正在發(fā)生變化

Yol認(rèn)為，經(jīng)過(guò)多年的快速市場(chǎng)擴(kuò)張，該產(chǎn)業(yè)目前正進(jìn)入整合期。其重點(diǎn)正從技術(shù)創(chuàng)新本身轉(zhuǎn)向推出市場(chǎng)領(lǐng)先的產(chǎn)品、獲取客戶(hù)以及加強(qiáng)銷(xiāo)售能力。

從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，電氣化、可再生能源、人工智能/數(shù)據(jù)中心和工業(yè)自動(dòng)化將是市場(chǎng)擴(kuò)張的主要驅(qū)動(dòng)力。系統(tǒng)電壓正在不斷提高，電動(dòng)汽車(chē)的電壓從400V提升至800V，太陽(yáng)能發(fā)電從1000V提升至1500V，電動(dòng)汽車(chē)直流快速充電器從500V提升至1000V，而人工智能數(shù)據(jù)中心也在向800V架構(gòu)發(fā)展。此外，制造工藝也在向更大直徑的晶圓轉(zhuǎn)型。

在此背景下，Yole預(yù)測(cè)，憑借成本競(jìng)爭(zhēng)力、技術(shù)成熟度、高可靠性和廣泛的生態(tài)系統(tǒng)，硅MOSFET和IGBT將繼續(xù)在主流應(yīng)用中保持核心地位。與此同時(shí)，碳化硅和氮化鎵器件的市場(chǎng)份額正在穩(wěn)步增長(zhǎng)，Yole預(yù)測(cè)到2031年，這兩種技術(shù)將占整個(gè)市場(chǎng)的31%。

盡管碳化硅（SiC）的應(yīng)用主要受800V電池電動(dòng)汽車(chē)（BEV）系統(tǒng)化改造的推動(dòng)，但Yole解釋說(shuō)，“BEV市場(chǎng)的放緩導(dǎo)致SiC供應(yīng)過(guò)剩，加劇了整個(gè)供應(yīng)鏈的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。除了SiC晶圓和器件制造成本的下降外，中國(guó)制造商的價(jià)格戰(zhàn)也加速了SiC價(jià)格的下跌。” 因此，Yole預(yù)測(cè)，SiC的應(yīng)用重點(diǎn)將轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)中心、樓宇儲(chǔ)能系統(tǒng)（BESS）、大規(guī)模交通運(yùn)輸、國(guó)防和超高壓系統(tǒng)等高附加值應(yīng)用領(lǐng)域，同時(shí)晶圓尺寸也將從6英寸轉(zhuǎn)向8英寸。

關(guān)于氮化鎵（GaN），其應(yīng)用正在不斷擴(kuò)大，主要集中在消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源、快速充電器、數(shù)據(jù)中心電源以及小型/高頻轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。然而，該報(bào)告分析指出，“高壓器件的可靠性、生態(tài)系統(tǒng)成熟度和供應(yīng)狀況仍然是其在汽車(chē)和高功率應(yīng)用領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的挑戰(zhàn)。”

此外，Yole提到，未來(lái)差異化的關(guān)鍵在于“技術(shù)創(chuàng)新的重點(diǎn)正從器件結(jié)構(gòu)本身轉(zhuǎn)向熱管理和先進(jìn)封裝技術(shù)”。關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)包括頂部冷卻、雙面冷卻、銅夾連接、銀燒結(jié)、低電感模塊布局和嵌入式芯片封裝。他指出，芯片上產(chǎn)生的熱量如何高效散發(fā)將是決定競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。

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