北京
中國(guó)將在河南投資2.1億美元，建設(shè)國(guó)內(nèi)首條金剛石半導(dǎo)體集成產(chǎn)業(yè)鏈。
中國(guó)啟動(dòng)了一項(xiàng)總投資2.1億美元的項(xiàng)目，旨在打造國(guó)內(nèi)首個(gè)第四代半導(dǎo)體材料集成產(chǎn)業(yè)鏈，此舉意在其占據(jù)主導(dǎo)地位的人造金剛石產(chǎn)業(yè)之外，進(jìn)一步拓展先進(jìn)芯片材料的能力。
該生產(chǎn)基地將落戶河南省鄭州高新區(qū)。6月26日，鄭州高新區(qū)與中科粉研（河南）超硬材料有限公司簽署了投資協(xié)議。
在中南大學(xué)的支持下，該公司計(jì)劃建立覆蓋全價(jià)值鏈的制造能力，包括金剛石化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備、單晶生長(zhǎng)、外延、微納加工以及先進(jìn)封裝基板。
該項(xiàng)目也反映出中國(guó)在對(duì)先進(jìn)電子材料需求日益增長(zhǎng)的背景下，強(qiáng)化本土半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的更廣泛布局。雖然硅仍是芯片的主流材料，但研究人員正越來(lái)越多地探索金剛石及其他超寬禁帶材料以用于需要更高功率處理能力、更快散熱以及在傳統(tǒng)半導(dǎo)體面臨性能極限的極端環(huán)境下運(yùn)行的場(chǎng)景。
該項(xiàng)目總投資15億元人民幣（約合2.1億美元），有望助力河南將其成熟的超硬材料產(chǎn)業(yè)延伸至高端半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。
超越人造金剛石
第四代半導(dǎo)體基于金剛石、氧化鎵等超寬禁帶材料。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比，它們具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)和更優(yōu)異的導(dǎo)熱性能，因而適用于高功率和高溫應(yīng)用。
根據(jù)公告，這類材料可服務(wù)于人工智能芯片、電子熱管理、5G和6G通信、電動(dòng)汽車以及生物醫(yī)學(xué)技術(shù)。
新的生產(chǎn)基地將采用該公司專有的LPPHT微納金剛石技術(shù)，支撐半導(dǎo)體材料的大規(guī)模制造。規(guī)劃安裝500臺(tái)微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）設(shè)備，可生產(chǎn)2英寸至4英寸單晶金剛石晶圓。
該基地還將建設(shè)50條生產(chǎn)線，專門用于制造先進(jìn)材料應(yīng)用所需的球形微納金剛石粉末。
擴(kuò)大晶圓生產(chǎn)規(guī)模
根據(jù)項(xiàng)目路線圖，首批200臺(tái)MPCVD設(shè)備預(yù)計(jì)于2026年底投入運(yùn)營(yíng)。全面達(dá)產(chǎn)后，該基地預(yù)計(jì)三年內(nèi)年產(chǎn)值可達(dá)約30億元人民幣（約合4.2億美元）。
在簽約儀式上，公司董事長(zhǎng)陳澤民表示：“該基地的建設(shè)將推動(dòng)微納金剛石從實(shí)驗(yàn)室走向大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。”
他補(bǔ)充說(shuō)，項(xiàng)目將具備使用500臺(tái)MPCVD設(shè)備生產(chǎn)2英寸至4英寸單晶晶圓的能力，同時(shí)配備50條LPPHT生產(chǎn)線，用于生產(chǎn)微米級(jí)和納米級(jí)球形金剛石。
該生產(chǎn)基地將與早前在鄭州高新區(qū)成立的“中南大學(xué)—中科粉研第四代半導(dǎo)體材料研發(fā)中心”協(xié)同運(yùn)作。公告稱，這一聯(lián)合攻關(guān)旨在打造一條覆蓋“基礎(chǔ)研究—技術(shù)突破—技術(shù)轉(zhuǎn)移—量產(chǎn)”的創(chuàng)新鏈條。
河南已是全球最大的人造金剛石生產(chǎn)中心之一。通過(guò)向半導(dǎo)體級(jí)金剛石材料領(lǐng)域拓展，該省正尋求從工業(yè)金剛石制造邁向更高附加值的電子材料領(lǐng)域。
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