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7月16日,晶圓代工大廠臺積電召開了2026年二季度法人說明會。Q2業績超預期,凈利同比大漲77.4%創歷史新高,2nm制程也已開始貢獻營收。臺積電還宣布上調全年營收和資本支出,并回應了與三星和英特爾的競爭、先進封裝、漲價等議題。更令人矚目的是,臺積電正式宣布對美國追加1000億美元投資,使其在美國的總投資額將達2650億美元。
Q2凈利同比大漲77.4%
合并營收約新臺幣12,703.8億元,同比增長36%,環比增長12%;毛利率67.7%,高于預期的65.5%至67.5%;營業利益率60.3%,同樣優于預期的56.5%至58.5%;稅后凈利潤約新臺幣7,065.6億元,同比大漲77.4%,環比增長23.4%,創下歷史新高;每股收益約新臺幣27.25元(折合美國存托憑證每單位為4.31美元),同比大漲77.4%。
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如果以美元計算,臺積電第二季營收為402億元,同比增長33.7%,環比增長12.0%;毛利率為67.7%;營業利潤率為60.3%;稅后凈利潤率為55.6%。
臺積電累計上半年營收達新臺幣24,044.84億元,同比增長35.6%; 毛利率為67%,同比提升8.3個百分點;歸屬母公司凈利潤為新臺幣12,790.42億元,同比大漲68.3%;每股收益新臺幣49.32元。
從各制程工藝的營收占比來看,2nm占比約3%、3nm占比30%、5nm占比33%、7nm占比11%,7nm及以下先進制程合計占比達77%。
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從應用領域來看,HPC營收環比增長20%,在總營收當中的占比高達66%;智能手機營收環比下滑4%,在總營收當中占比為22%;IoT營收環比增長4%,在總營收當中占比為5%;汽車相關營收環比增長15%,在總營收當中占比為4%;DCE營收環比增長5%,在總營收當中占比為1%;其他應用營收環比增長5%,在總營收當中占比為2%。
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第三季營收或達458億美元
臺積電預計,第三季營收以美元計算約為446-458億美元,其中間值環比增長12%,毛利率介于65-67%、營業利潤率介于56-58%,匯率假設基礎為1美元兌32新臺幣。
臺積電財務長黃仁昭表示,第三季毛利率環比減少,是因為2nm量產初期導致的毛利稀釋。
全年美元營收增長將超40%
針對全年的營收目標,臺積電在今年4月一季度法說會上就已經將今年的美元營收增長目標上調至超越30%。而在此次的二季度法說會上,臺積電又進一步將全年營收增長目標上調至“微幅超過40%”。
魏哲家表示,雖然零組件價格上漲及總體經濟不確定性,可能為價格敏感的消費性電子產品市場帶來挑戰,但是AI需求強勁,客戶及客戶的客戶釋出強烈信號和正面展望,預期臺積電今年美元營收年成長率有望微幅超過40%。
今年資本支出上修至600-640億美元
資本支出方面,臺積電最新財報顯示,今年一季度資本支出約111億美元,第二季資本支出支約157億美元。
為支持市場旺盛等需求,魏哲家在法說會上宣布,臺積電將上修全年資本支出,預計將達600-640億美元的歷史新高。相比今年4月的一季度法說會上公布的“接近520億至560億美元上緣”的說法上修了約7%至14.3%。
魏哲家表示,上修資本支出為了支持客戶的需求,多數用于先進制程投資所需。其中,代理型AI(Agentic AI)需求的強勁增長是推動本次上調的重要原因之一。
臺積電首席財務官黃仁昭則指出,今年增加投入資本支出,為了掌握未來業務機會。只要有業務機會,臺積電會毫不猶豫投資,對于人工智能AI未來長期趨勢,抱持非常強烈信心,臺積電正在加大資本支出。
對美國追加1000億美元投資,再建4座晶圓廠
早在2020年臺積電就宣布了在美國亞利桑那州投資120億美元建廠計劃,并于 2021 年 4 月開始在該地區建造首個晶圓制造廠。隨后,臺積電宣布將對美投資擴大至650億美元,除了最初的晶圓一廠之外,還將建立兩座晶圓廠。
2025年3月,臺積電又宣布對美國追加1000億美元投資,包含再建設三座新晶圓廠、兩座先進封裝設施,以及一個主要研發中心。這使得臺積電對美國的總投資達到了1650億美元。
目前,臺積電亞利桑那州第一座4nm晶圓廠已經開始量產;第二座3nm晶圓廠,目前正在建設當中,預計于2027年量產。這兩座晶圓廠達產后,合計將年產超過60萬片晶圓;第三座晶圓廠已經開始破土動工,將生產2nm或更先進的制程技術,預計將在2029~2030年間量產。
不過,美國政府一直希望臺積電繼續擴大對美國的投資,并且特朗普政府甚至還不惜公開以關稅作為威脅手段。
今年1月,中國臺灣與美國達成貿易協議,美國對中國臺灣關稅降至15%,交換條件是中國臺灣直接在美國境內項目投資2,500億美元。但是臺積電在美國拜登政府時期承諾的650億美元,似乎不計入這2,500億美元總額。當時外界就猜測,臺積電將會追加對美國的投資額。
隨后多位美國官員也對外透露,臺積電將擴大對美國的投資。今年7月1日,美國總統特朗普在離開馬里蘭州安德魯聯合基地(Joint Base Andrews)前接受媒體采訪時表示,臺積電正將亞利桑那州在建晶圓廠的規模擴大一倍,并預測在其任期內美國芯片市占率有望達到50%。
在此次的臺積電二季度法說會上,臺積電董事長暨總裁魏哲家正式宣布,將在美國亞利桑那州追加1000億美元投資,預計將再建置4座晶圓廠,以及先進封裝廠,滿足美國客戶未來多年的強勁需求。此舉將使臺積電在美國的總投資額達到2650億美元。
魏哲家表示,在美國主要客戶及美國聯邦、州和市政府的大力合作與支持下,將在亞利桑那州追加1000億美元投資,用以建置更多2nm及以下制程的邏輯晶圓廠,以及先進封裝工廠,以滿足美國客戶未來多年的強勁需求。這將有助于進一步促進美國半導體生態系統發展,強化供應鏈,并為美國產業創造更多就業機會。 至于相關進度將取決于市場狀況。
對于具體的新建晶圓廠的數量,魏哲家回應說,在亞利桑那州追加1,000億美元的投資,可以蓋數個廠,可能會再建四個或更多晶圓廠。
黃仁昭補充稱,加碼美國投資基于客戶需求高速成長以及美國官方大力支持,同時臺積電在美國新廠一、二廠都已相當成功,一廠良率媲美臺灣廠區。
彭博社采訪的一位美國官員也表示,臺積電新增的1000億美元將用于建設四座芯片工廠,生產采用2nm制程或更先進制程技術的邏輯芯片,使臺積電在美的晶圓制造廠最終達到10座,封裝廠達到2座。這位官員說,具體視市場狀況而定,臺積電最終也可能調整為3座邏輯晶圓廠和1座封裝廠,但未說明整體投資時間規劃。
除了擴大美國的產能之外,臺積電也將繼續擴大在中國臺灣的產能。魏哲家強調,臺積電未來幾年同時將在中國臺灣建設13座先進制程晶圓廠,繼續在中國臺灣發展壯大。 臺積電的技術和制造將持續協助客戶實現創新。
從全球布局來看,臺積電計劃新建的3座3nm晶圓廠,1座位于中國臺灣,1座位于美國亞歷桑納州,1座位于日本,以支持未來多年對3nm技術的強勁需求。此外,臺積電還將在中國臺灣改造原有的5nm廠,以支持3nm芯片生產。
不懼三星、英特爾競爭
目前三星電子和英特爾都在積極地發展尖端制程,以期在當前AI所需的先進制程產能供不應求的環境下,與臺積電展開競爭。
三星晶圓代工業務自去年以來取得了不錯的成果,不僅拿下特斯拉的AI芯片以及英偉達Gorq芯片代工大單,近期傳聞Anthropic的自研AI芯片也將交由三星代工。
根據外資投行KeyBanc Capital Markets發布的最新研究報告也顯示,英特爾最先進的Intel 18A制程良率已突破85%,晶圓代工業務也獲得了蘋果、AMD、英偉達、Marvell、微軟、美光(應該是HBM邏輯芯粒)以及OpenAI等客戶的晶圓代工設計訂單(Foundry design win)。
面對三星和英特爾的挑戰,魏哲家表示,臺積電最重要的競爭優勢包含技術、制造和客戶信任,這三點在他30到40年的職業生涯中從未改變。 這始終是最重要的,也是臺積電贏得業務的秘訣。而選擇一項技術并將其量產也沒有捷徑可走,可不是像是去7-Eleven買瓶牛奶這么簡單。
魏哲家幽默地指出:“沒錯。 我們在韓國的一個競爭對手賺了很多錢,我很羨慕。 然后,我們在美國的另一個競爭對手得到了美國政府的大力支持。 順便說一句,我們也得到了政府的支持,雖然我們沒有公開宣布。 但是,我想和你們分享一下,正如我們所說,選擇技術合作伙伴,沒有捷徑可走。”
持續擴大先進封裝產能,也樂見英特爾先進封裝的成功
在AI熱潮的驅動下,當前臺積電的先進封裝產能非常吃緊,不得不將部分工序外部給了日月光等外部封測廠。同時,這也使得部分客戶轉向了英特爾的EMIB-T等先進封裝技術。
對此,魏哲家表示,整體來看封裝產能非常吃緊,臺積電非常努力縮短先進封裝需求與產能之間的差距。同時,臺積電也樂見更多廠商投入先進封裝新技術,不僅提升市場的靈活度,也有助于臺積電業務增長。他指出,先進封裝是臺積電業務的重要部分。
魏哲家說,根據媒體報導,(英特爾)相關先進封裝技術看起來不錯,臺積電希望能夠成功,可以分擔臺積電部分的產能負荷,也可讓客戶規劃有更大的彈性。 他指出,臺積電首要任務就是支持客戶成功,凡是能協助客戶業務成功的事,臺積電都會去做。
High NA EUV是否導入量產,不能只看性能
7月15日,ASML宣布英特爾已在其最先進產品(代號為“Panther Lake”的英特爾 Core Ultra 3系列處理器)的批量制造中使用高數值孔徑(High NA)EUV,意味著市場上英特爾的部分產品已采用 ASML High NA EUV系統生產。這一消息引發了市場的廣泛關注。
相比之下,臺積電在High NA EUV光刻機的導入上并不積極。此前臺積電高管就曾明確表示,其A14制程都不會考慮采用High NA EUV光刻機。
魏哲家對此表示,High-NA EUV具備相當優異的效能,但是否正式導入量產,不能只看技術表現,還要同步評估設備成本、技術成熟度,以及曝光視野縮小后對制造流程帶來的影響。
魏哲家解釋稱,High-NA EUV曝光視野僅有現有Low NA EUV設備的一半,大型芯片可能需要通過芯粒拼接方式完成曝光,可能提高制造復雜度,并進一步影響客戶采用速度。
目前臺積電已將High-NA曝光視野縮小至一半的問題,納入整體制造成本與量產評估。魏哲家強調,High-NA本身是一項效能很好的工具,但臺積電目前仍持續與ASML合作,希望進一步改善設備成本與技術成熟度,使其更符合大規模制造需求。
不會大幅漲價
近期業內消息顯示,臺積電已經通知客戶,計劃將3nm和5nm等尖端制程以及7nm制程的晶圓供應價格提高5%至10%。此外,臺積電還計劃于明年1月對成熟制程漲價。
魏哲家在此次的法說會上并未正面回應漲價傳聞,僅表示臺積電是一家非常值得客戶信賴的公司(we are a very trustable company with our customer),雖然會反映自身技術與制造價值,但不會突然大幅漲價,甚至一次提高四倍、五倍,讓客戶無法在市場上生存。
魏哲家指出,臺積電與客戶是長期合作伙伴,公司的成功也建立在客戶能夠成功之上,因此不會為了追求短期獲利而擠壓客戶。 臺積電的定價原則,是取得應有的價值,同時維持足以支撐長期投資及持續擴產的毛利,這對臺積電及客戶都有利。
在談及存儲芯片廠商受益于“存儲超級周期”,毛利率及獲利持續飆升時,魏哲家也忍不住地直言,“真的很羨慕存儲器公司的86%毛利率”。他笑著說,臺積電不需要達到86%,“有68%,我就很高興了”。
同時,魏哲家也重申,臺積電最重要的原則仍是值得客戶信賴,不會因市場供應吃緊便突然大幅調價,而是在客戶能夠持續成長的前提下,取得合理報酬并支撐公司長期擴產。
編輯:芯智訊-浪客劍
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